产品号GS61008P
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评估板GS61008P-EVBHF
(具有高频GaN驱动器的降压转换器)
VDS100 V E-HEMT
IDS90 A
RDS(on)7 mΩ
QG8 nC
尺寸(MM)7.5 x 4.6 x 0.51
冷却底部
MR数量250
TR数量3000
TR数量16 mm x 7″
TR尺寸16 mm x 13″

GS61008P

100V增强型氮化镓晶体管

GS61008P是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许高电流,高电压击穿和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS61008P是一款底部冷却晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 超低品质因数岛技术®晶片
  • 低电感GaNPX®封装
  • 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
  • 瞬态容错门极驱动(-20 V / + 10 V)
  • 非常高的开关频率(> 10 MHz)
  • 快速和可控的下降和上升时间
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小尺寸7.6 x 4.6 mm2占板面积
  • 源极检测(SS)焊盘用于优化门极驱动
  • 符合RoHS 3 (6+4)标准

应用

  • 储能系统 (ESS)
  • AC/DC电源(副边)
  • 不间断电源(UPS)
  • 工业电机驱动
  • 快充电源
  • D类音频功放
  • 牵引逆变器

评估板