产品号GS66508T-EVBDB2
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评估板:GS66508T-EVBDB2

650 V GaN E-HEMT子板

本产品需要搭配母板(GS665MB-EVB)

GS66508T-EVBDB子板由两个氮化镓系统 (GaN Systems) 650V 增强型氮化镓晶体管(产品号GS66508T)和所有必需的电路组成,包括半桥门极驱动器,隔离电源和可选散热器,以形成功能半桥功率级。 它允许用户轻松评估任何半桥拓扑中的GaN E-HEMT性能,无论是通用母板还是用户自己的系统设计。

  • 作为参考设计和评估工具以及易于进行系统评估的解决方案
  • 垂直安装样式,高度为35mm,适用于大部分1U设计,允许在传统直插式电源电路板中评估GaN E-HEMT
  • 预留电流传感器位置用于开关特性测试
  • 通用外形尺寸和占板面积适用于所有产品

给高速GaN器件驱动的带有Broadcom的ACPL-P346门极驱动光耦