产品号GS61004B
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评估板GS61004B-EVBCD
(用于D类放大器)
VDS100 V E-HEMT
IDS38 A
RDS(on)16 mΩ
QG3.3 nC
尺寸(MM)4.6 x 4.4 x 0.51
散热底部
MR数量250
TR数量3000
MR尺寸12 mm x 7″
TR尺寸12 mm x 13″

GS61004B

100V增强型氮化镓晶体管

GS61004B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS61004B是一款底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 超低品质因数(FOM)岛技术®晶片
  • 低电感GaN PX®封装
  • 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
  • 瞬态容错门极驱动(-20 V / + 10 V)
  • 非常高的开关频率(> 10 MHz)
  • 快速和可控的下降和上升时间
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小尺寸4.6 x 4.4 mm2占板面积
  • 符合RoHS 3 (6+4)标准

应用

  • 服务器和网络电源
  • 不间断电源(UPS)
  • 工业电机驱动
  • 光伏电源
  • 快充电源
  • D类音频功放
  • 智能家居

评估板