| 产品号 | GS66516T-EVBDB2 |
|---|---|
| 下载 | 用户手册 原理图 Gerber设计文件 |
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已停产
评估板：GS66516T-EVBDB2
650 V GaN E-HEMT子板
本产品需要搭配母板（GS665MB-EVB）
GS66516T-EVBDB子板由两颗GaN Systems的650V GaN E-HEMT（产品型号GS66516T）以及所需电路组成，里面包括半桥式栅极驱动器、隔离电源、可选散热片。这些器件组成一个完整功能的半桥功率级。该子板便于用户使用通用母板或自己设计的系统，轻松评估任意半桥拓扑的GaN E-HEMT性能。
- 可用作参考设计、评估工具，以及便于内部系统评估的完善方案
- 垂直安装，高度为35mm，适用于大多数1U设计，并且可用在传统通孔式电源板进行GaN E-HEMT评估
- 预留分流器位置，用于测试开关特性
- 适用于所有产品的通用形状和针脚定义
该子板与博通公司合作制造，配备可驱动高速氮化镓晶体管的ACPL-P346栅极驱动光耦。
