档案:评估板和参考设计

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描述评估板
基于650 V GaN E-HEMT的子板 2 kWGS66508T-EVBDB
基于650 V GaN E-HEMT的子板 2.5 kWGS66516T-EVBDB
基于650 V GaN E-HEMT的子板 750 WGS66504B-EVBDB
基于650 V GaN E-HEMT的子板 1.5 kWGS66508B-EVBDB
双通道200Wx2 Class D 音频功放及其400W 电源评估板GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS
30A 50mΩ 非隔离半桥驱动评估板-ONsemiGS-EVB-HB-66508B-ON1
30A 50mΩ 过流保护半桥驱动氮化镓子板参考设计 – RenesasGS-EVB-HB-66508B-RN
100V,具有高频GaN驱动器的GaN E-HEMT降压转换器GS61008P-EVBHF
可配置12种不同拓扑的大功率主板GSP65MB-EVB
—带驱动半桥IMS板; 650 V, 25 mΩ, 2-4 kWGSP65R25HB-EVB
60A 25mΩ 光耦半桥驱动氮化镓子板 – BroadcomGS66516T-EVBDB2
60A 25mΩ过流保护半桥驱动氮化镓子板 – RenesasGS-EVB-HB-66516T-RN
300W PFC/LLC AC/DC 评估版GS-EVB-ACDC-300W-ON
90A 7mΩ非隔离半桥驱动评估板-ONsemiGS-EVB-HB-61008P-ON
隔离式半桥双极驱动器 – 60A 25mΩ GaN 评估板 – Allegro MicrosystemsGS-EVB-HB-0650603B-HD
隔离半桥子板的通用主板GS665MB-EVB
— 30A 50mΩ 数字驱动半桥氮化镓子板 – Analog DevicesGS66508B-EVBDB1
— 30A 50mΩ 光耦半桥驱动氮化镓子板 – BroadcomGS66508T-EVBDB2
带驱动半桥IMS板; 650 V, 13 mΩ, 4-7 kWGSP65R13HB-EVB
带隔离驱动的小功率半桥或全桥主板GS-EVB-IMS2-LPMB
—带驱动半桥IMS板; 650 V, 150 mΩ, 150 W (2x 全桥)GS-EVB-IMS2-065011L-GS
—带驱动半桥IMS板; 650 V, 100 mΩ, 250 W (2x 全桥)GS-EVB-IMS2-66504B-GS
大功率全桥隔离驱动板GSP665HPMB-EVBIMS2
—带驱动半桥IMS板, 3 W/mK 热导率; 650 V, 50 mΩ, 1-3 kW (2x 全桥)GSP66508HB-EVBIMS2
—带驱动半桥IMS板, 7 W/mK热导率; 650 V, 25 mΩ, 3-6 kW (2x全桥)GS-EVB-IMS3-0650603B-GS